先進半導體材料方向

材料生長與裝備領軍人才

2

負責GaN、AlN、SiC等寬禁帶半導體材料，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導體，及其他材料的生長領域以及材料生長相關裝備領域的戰略研究和發展規劃，開展高質量科學研究，推動解決半導體材料生長與裝備的關鍵科學與工程問題。

1.具有博士學位；

2.具有8年以上材料生長與裝備相關研究經歷，在半導體材料生長與裝備領域取得過具有行業影響力的標志性成果；

3.能夠準確把握學科動態和發展方向，具有優良的科技領軍創新才能和優秀的團隊管理能力。

材料生長與裝備青年科技人才

10

1.開展GaN、AlN、SiC等寬禁帶半導體材料，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導體及其他材料的高質量生長領域以及材料生長相關裝備領域的相關科學研究；

2.協助學科帶頭人進行半導體材料生長與裝備相關研究項目工作；

3.協助完成科研技術項目的規劃布局、技術攻關、平臺建設、運行推進等內容。

1.具有博士學位；

2.有半導體材料生長研究的相關經驗，取得過優秀的科研成果，從事過半導體材料生長與裝備相關研究工作者優先。

先進光電材料與應用領軍人才

5

負責先進光電材料與應用領域的戰略研究和發展規劃，開展高質量科學研究，推動解決先進光電材料與應用的關鍵科學與工程問題。

1.具有博士學位；

2.具有8年以上先進光電材料與應用相關研究經歷，有深厚的專業技術水平和研發能力，在先進光電材料與應用領域取得過具有行業影響力的標志性成果；

3.能夠準確把握學科動態和發展方向，引領相關學科發展；具有優良的科技領軍創新才能和優秀的團隊管理能力。

先進光電材料與應用青年科技人才

10

1.開展先進光電材料與應用領域的相關科學研究，推動解決先進光電材料、技術與應用的關鍵科學與工程問題；

2.協助學科帶頭人進行先進光電材料開發與應用等研究項目工作，完成科研技術項目的規劃布局、技術攻關、平臺建設、運行推進等內容。

1.具有博士學位；

2.有光電材料相關研究經驗，取得過優秀的科研成果，從事過先進光電材料與應用相關研究工作者優先。

理論計算與仿真模擬領軍人才

2

負責三代半導體器件理論計算與仿真模擬領域的戰略研究和發展規劃，從第一性原理深入開展高質量科學研究，推動解決三代半導體材料理論計算與仿真模擬的關鍵科學與工程問題。

1.具有博士學位；

2.具有8年以上理論計算與仿真模擬相關研究經歷，有深厚的專業技術水平和研發能力，在半導體材料理論計算與仿真模擬領域取得過具有行業影響力的標志性成果。

3.能夠準確把握學科動態和發展方向，引領相關學科發展；具有優良的科技領軍創新才能和優秀的團隊管理能力。

理論計算與仿真模擬青年科技人才

5

1.開展理論計算與仿真模擬領域的相關科學研究，推動解決理論計算與仿真模擬的關鍵科學與工程問題；

2.協助學科帶頭人進行理論計算與仿真模擬等研究項目工作，協助完成科研技術項目的規劃布局、技術攻關、平臺建設、運行推進等內容。

1.具有博士學位；

2.具有3年以上理論計算與仿真模擬的相關經驗，熟練使用計算編程工具如python、仿真工具Sentaurus、Silvaco之一，并能根據物理模型存在的問題進行修改完善，在國外核心期刊上發表過本領域若干論文者優先。

工藝工程師

10

1.開展材料生長、光刻、鍍膜、刻蝕、摻雜改性、封測等工藝開發研究，工藝段的異常分析和處理，與器件工程師合作溝通改進工藝；

2.負責相關設備的運行、操作、維護和使用管理；

3.配合完成相關項目工藝研發和驗證實驗。

1.具有碩士研究生及以上學歷；

2.具有半導體或集成電路相關工藝研發工作經驗者優先；

集成電路關鍵材料方向

理化測試分析平臺領軍人才

1

1.圍繞理化測試分析平臺建設任務，開展高質量科學研究，包括方法學、設備及相關材料研究；

2.負責理化測試分析平臺管理運營工作，在科研能力建設、技術團隊培養、創新實踐合作等方面發揮引領作用；

1.具有博士學位，材料科學、材料物理與化學、理化分析等相關專業；

2.具有深厚的專業技術水平和研發能力，在相關領域內取得過具有影響力的標志性成果；

光刻材料領軍人才

1

1.圍繞最前沿光刻材料研究任務，開展高質量科學研究，包括工藝、設備及相關材料研究；

2.負責光刻材料研發工作，在科研能力建設、技術團隊培養、創新實踐合作等方面發揮引領作用；

1.具有博士學位，材料科學、材料物理與化學、光刻材料等相關專業；

2.具有深厚的專業技術水平和研發能力，具有DUV光刻、和/或電子束光刻（e-beamlithography；EBL）等相關研究經驗。

光刻工程師

1

1.參與光刻工藝、設備及相關材料的研發工作；

2.負責監控和調整光刻工藝參數，編寫光刻工藝文件，包括操作規程、標準作業程序等；

3.協助光刻方向負責人完成相關科研項目的規劃布局、平臺建設、技術攻關等工作；

4.完成光刻方向負責人交辦的其他事務。

1.具有碩士研究生及以上學歷，材料、物理、化學、電氣工程等相關專業；

2.具有2年以上光刻經驗，在半導體行業或科研院所從事光刻工藝研發或光刻材料表征等相關工作。

工藝整合工程師

1

1.負責公共測試服務平臺光刻評價/理化測試分析等相關工藝整合工作；

2.對接平臺業務需求，評估工藝可行性、工藝流程制定、異常分析、問題反饋及報告整理等相關工作；

3.協助光刻/測試工程師開展工藝調試及開發；

4.完成平臺負責人交辦的其他事務。

1.具有碩士研究生及以上學歷，材料、半導體物理等相關專業；

2.具有2年以上半導體工藝整合或工藝研發經驗，熟悉集成電路工藝制造流程，具備技術調研和數據分析能力；

3.具有集成電路行業背景或12寸FAB制程經驗者優先。

理化分析測試工程師（電感耦合等離子體質譜方向）

1

1.負責電感耦合等離子體質譜儀（ICP-MS）及相關質譜、光譜設備的日常測試、數據分析、技術開發、撰寫設備SOP；

2.負責電感耦合等離子體質譜儀及相關質譜、光譜設備的安裝、調試、培訓、維護及運行；

3.協助專用理化平臺搭建及分析表征技術開發，建立分析測試規范；

4.完成平臺負責人交辦的其他事務。

1.具有碩士研究生及以上學歷，分析化學、材料、儀器儀表等相關專業；

2.具有電感耦合等離子體質譜儀及相關質譜、光譜設備使用操作、數據分析和日常維護經驗。

理化分析測試工程師（核磁共振波譜方向）

1

1.負責核磁共振波譜儀（NMR）及相關譜學設備的日常測試、數據分析、技術開發、撰寫設備SOP；

2.負責核磁共振波譜儀及相關譜學設備的安裝、調試、培訓、維護及運行；

3.協助專用理化平臺搭建及分析表征技術開發，建立分析測試規范；

4.完成平臺負責人交辦的其他事務。

1.具有碩士研究生及以上學歷，分析化學、材料、儀器儀表等相關專業；

2.具有核磁共振波譜儀及相關譜學設備使用操作、數據分析和日常維護經驗。

理化分析測試工程師（液相色譜方向）

1

1.負責高效液相色譜儀（HPLC）及相關譜學設備的日常測試、數據分析、技術開發、撰寫設備SOP；

2.負責高效液相色譜儀及相關譜學設備的安裝、調試、培訓、維護及運行；

3.協助專用理化平臺搭建及分析表征技術開發，建立分析測試規范；

4.完成平臺負責人交辦的其他事務。

1.具有碩士研究生及以上學歷，分析化學、材料、儀器儀表等相關專業；

2.具有高效液相色譜儀及相關譜學設備使用操作、數據分析和日常維護經驗。

刻蝕工藝工程師

1

1.負責刻蝕設備及相關設備的日常測試、數據分析、技術開發、撰寫設備SOP；

2.負責刻蝕設備及相關設備的安裝、調試、培訓、維護及運行；

3.協助專用理化平臺搭建及分析表征技術開發，建立分析測試規范；

4.完成平臺負責人交辦的其他事務。

1.具有碩士研究生及以上學歷，材料、半導體物理等相關專業；

2.具有2年以上刻蝕經驗，熟練掌握相關儀器和設備，具有集成電路行業背景或12寸FAB制程經驗者優先。

ALD前驅體領軍人才

1

圍繞最前沿前驅體材料研究任務，開展基于沉積技術的前驅體研究，包括工藝、設備及相關材料研究。

1.具有博士學位，材料科學、材料物理與化學等相關專業；

2.具有深厚的專業技術水平和研發能力，在相關領域內取得過具有影響力的標志性成果。

ALD前驅體材料工藝青年科技人才

1

1.圍繞最前沿前驅體材料研究任務，開展基于沉積技術的前驅體材料工藝研究；

2.協助ALD前驅體方向負責人完成相關科研項目的規劃布局、平臺建設、技術攻關等工作；

3.完成方向負責人交辦的其他事務。

1.具有博士學位，材料科學、材料物理與化學等相關專業；

2.在相關領域范圍內具有豐富的研究經驗或突出特長，取得過重要成果。

半導體3D封裝材料領軍人才

1

圍繞最先進半導體3D封裝材料研究任務，開展半導體3D封裝研究，包括工藝、設備及相關材料研究。

1.具有博士學位，材料科學、材料物理與化學等相關專業；

2.具有深厚的專業技術水平和研發能力，在相關領域內取得過具有影響力的標志性成果。

半導體3D封裝工藝青年科技人才

1

1.圍繞最先進半導體3D封裝材料研究任務，開展半導體3D封裝工藝研究；

2.協助半導體3D封裝材料方向負責人完成相關科研項目的規劃布局、平臺建設、技術攻關等工作；

3.完成方向負責人交辦的其他事務。

1.具有博士學位，材料科學、材料物理與化學等相關專業；

2.在相關領域范圍內具有豐富的研究經驗或突出特長，取得過重要成果。

半導體3D封裝設備青年科技人才

1

1.圍繞最先進半導體3D封裝材料研究任務，開展半導體3D封裝設備研究；

2.協助半導體3D封裝材料方向負責人完成相關科研項目的規劃布局、平臺建設、技術攻關等工作；

3.完成方向負責人交辦的其他事務。

1.具有博士學位，材料科學、材料物理與化學等相關專業；

2.在相關領域范圍內具有豐富的研究經驗或突出特長，取得過重要成果。

集成光電材料

異質集成光電材料與器件領軍人才

1

負責柔性襯底與多種傳感材料異質集成、傳感材料和器件與硅基光電集成電路異質集成的戰略研究和發展規劃，開展高質量科學研究，推動解決異質集成關鍵材料與器件的重大科學與工程問題。

1.具有博士學位；

2.具有8年以上異質集成芯片相關研究經歷，有深厚的專業技術水平和研發能力，在半導體材料異質結、單片異質集成器件、光電集成芯片等領域取得過有行業影響力的標志性成果。

異質集成光電材料與器件青年科技人才

1

1.開展柔性襯底與多種傳感材料異質集成、傳感材料和器件與硅基光電集成電路異質集成的相關科學研究，推動解決異質集成關鍵材料與器件的科學與工程問題；

2.協助完成科研技術項目的規劃布局、技術攻關、平臺建設、運行推進等內容。

1.具有博士學位；

2.從事過光電傳感材料研究者優先、從事過半導體異質結研究者優先、從事過光電集成芯片研究工作者優先。取得過優秀的科研成果者優先。

硅基異質外延材料與器件領軍人才

1

負責硅基襯底上外延GaAs、InP、GaN、AlN等Ⅲ/Ⅴ族半導體材料，以及硅基外延Ge、石墨烯等Ⅳ族半導體材料的戰略研究和發展規劃，開展高質量科學研究，推動解決硅基異質外延材料與器件的關鍵科學與工程問題。

1.具有博士學位；

2.具有8年以上硅基異質外延材料與器件相關研究經歷，有深厚的專業技術水平和研發能力，在硅基異質外延材料與器件領域取得過具有行業影響力的標志性成果。

硅基異質外延材料與器件青年科技人才

1

1.開展硅基襯底上外延GaAs、InP、GaN、AlN等Ⅲ/Ⅴ族半導體材料，以及硅基外延Ge、石墨烯等Ⅳ族半導體材料的相關科學研究，推動解決硅基異質外延材料與器件的關鍵科學與工程問題；

2.協助完成科研技術項目的規劃布局、技術攻關、平臺建設、運行推進等內容。

1.具有博士學位；

2.有硅基異質外延材料與器件的相關經驗，取得過優秀的科研成果，從事過異質外延相關研究工作者優先。

紅外量子點材料領軍人才

1

負責紅外量子點材料生長領域以及材料應用相關領域的戰略研究和發展規劃，開展高質量科學研究，推動解決紅外量子點材料生長與應用的關鍵科學與工程問題。

1.具有博士學位；

2.具有8年以上紅外量子點材料相關研究經歷，有深厚的專業技術水平和研發能力，在紅外量子點材料領域取得過具有行業影響力的標志性成果。

紅外量子點材料青年科技人才

1

1.開展紅外量子點材料的高質量生長以及材料應用相關科學研究，推動解決紅外量子點材料生長與應用的關鍵科學與工程問題；

2.協助完成科研技術項目的規劃布局、技術攻關、平臺建設、運行推進等內容。

1.具有博士學位；

2.有紅外量子點材料研究的相關經驗，取得過優秀的科研成果，從事過相關器件研究的工作者優先。

感存算一體材料與器件領軍人才

1

負責光學感存算一體材料與器件工作機理、制備工藝及相關器件領域的戰略研究和發展規劃，開展高質量科學研究，推動解決光學感存算一體材料生長與器件應用的關鍵科學與工程問題。

1.具有博士學位；

2.具有8年以上存儲材料或相變材料相關研究經歷，有深厚的專業技術水平和研發能力，在存算一體領域取得過具有行業影響力的標志性成果。

感存算一體材料青年科技人才

1

1.開展光學感存算一體材料工作機理、制備工藝及相關器件以及創新應用相關科學研究，推動解決光學感存算一體材料生長與應用的關鍵科學與工程問題；

2.協助完成科研技術項目的規劃布局、技術攻關、平臺建設、運行推進等內容。

1.具有博士學位；

2.有感存算一體材料研究的相關經驗，取得過優秀的科研成果，從事過相關器件研究的工作者優先。

纖鋅礦寬禁帶鐵電材料生長和工藝技術高級工程師/副研究員

1

1.使用國際先進原子層沉積、磁控濺射、分子束外延、激光脈沖沉積等材料生長機臺，完成纖鋅礦寬禁帶鐵電材料的生長技術研究工作，達到項目所需的交付指標；

2.使用國際先進球差電鏡、電子隧穿顯微鏡、電子掃描顯微鏡、鐵電分析儀、XRD、SIMS、XPS、AFM等材料表征設備，完成纖鋅礦寬禁帶鐵電材料組分分析、晶格匹配、鐵電反轉等機理分析工作；

3.完成一整套的纖鋅礦寬禁帶鐵電薄膜的生長參數優化、工藝包建立、一致性檢測的工作；

4.協助方向負責人完成相關科研項目的規劃布局、平臺建設、技術攻關等工作。

1.具有博士學位，材料科學、半導體技術、微電子科學、材料物理與化學等相關專業；

2.在寬禁帶鐵電材料生長相關領域范圍內具有豐富的研究經驗或突出特長，取得過重要成果；

3.具有海外學習工作經歷者、工業界工作經驗者、國際先進研究單位（比利時IMEC、新加坡IME、法國CEALeti、美國3D鐵電中心、德國弗朗霍斯特研究中心等）經驗者優先。

纖鋅礦寬禁帶鐵電材料器件和陣列制備高級工程師/副研究員

1

1.完成基于纖鋅礦寬禁帶鐵電材料的FeFET和FeCAP的器件設計、工藝設計、器件制備、電學測試和可靠性測試的工作，達到項目所需的交付指標；

2.完成基于纖鋅礦FeFET和FeCAP的陣列設計、工藝技術、陣列制備、電學測試、存儲功能測試和可靠性測試的工作；

3.完成一整套的纖鋅礦FeFET和FeCAP陣列的工藝設計、工藝集成、電學測試方法和器件陣列一致性檢測的工作；

4.協助方向負責人完成相關科研項目的規劃布局、平臺建設、技術攻關等工作。

1.具有博士學位，材料科學、半導體技術、微電子科學、材料物理與化學等相關專業；

2.在寬禁帶鐵電材料FeFET和FeCAP相關領域范圍內具有豐富的研究經驗或突出特長，取得過重要成果；

3.具有海外學習工作經歷者、工業界工作經驗者、國際先進研究單位（比利時IMEC、新加坡IME、法國CEALeti、美國3D鐵電中心、德國弗朗霍斯特研究中心等）經驗者優先。

纖鋅礦寬禁帶鐵電材料器件TCAD仿真驗證工程師/助理研究員

1

1.結合半導體器件制備經驗，使用國際主流半導體器件計算機輔助設計軟件，完成纖鋅礦寬禁帶鐵電材料的FeFET和FeCAP的器件建模、TCAD仿真驗證工作，達到項目所需的交付指標；

2.完成纖鋅礦FeFET和FeCAP中摻雜濃度、薄膜組分、薄膜厚度、矯頑電場等DOE設計、TCAD仿真驗證、數據分析、指導實驗計劃的工作；

3.完成一整套的纖鋅礦FeFET和FeCAP陣列的結構設計、工藝集成、電學測試方法和器件陣列一致性檢測的模擬仿真工作；

4.協助方向負責人完成相關科研項目的規劃布局、平臺建設、技術攻關等工作。

1.具有博士學位，材料科學、半導體技術、微電子科學、材料物理與化學等相關專業；

2.具有3-5年半導體新型器件微納制備經驗；在寬禁帶鐵電材料FeFET和FeCAP相關領域范圍內具有相關研究經驗或突出特長，取得過重要成果；

3.具有海外學習工作經歷者、工業界工作經驗者、國際先進研究單位（比利時IMEC、新加坡IME、法國CEALeti、美國3D鐵電中心、德國弗朗霍斯特研究中心等）經驗者優先。

寬禁帶、超寬禁帶半導體材料生長和設備開發高級工程師/副研究員

1

1.使用國際先進原子層沉積、分子束外延、激光脈沖沉積等材料生長機臺，完成寬禁帶、超寬禁帶材料的生長技術研究工作，達到項目所需的交付指標；

2.進行寬禁帶、超寬禁帶材料半導體核心設備的改造開發和國產驗；

3.完成一整套的寬禁帶、超寬禁帶材料的生長參數優化、工藝包建立、一致性檢測的工作；

4.協助方向負責人進行材料生長與裝備相關研究項目工作，協助完成科研技術項目的規劃布局、技術攻關、平臺建設、運行推進等內容。

1.具有博士學位，材料科學、半導體技術、微電子科學、材料物理與化學等相關專業；

2.在寬禁帶、超寬禁帶材料生長相關領域范圍內具有豐富的研究經驗或突出特長，取得過重要成果；

3.具有海外學習工作經歷者、工業界工作經驗者、國際先進研究單位（比利時IMEC、新加坡IME、法國CEALeti、美國3D鐵電中心、德國弗朗霍斯特研究中心等）經驗者優先。