ScAlN化合物材料生長與微結構調(diào)控課題組負責人樊士釗，2020年全職加入中國科學院蘇州納米所，獲中國科學院“率先行動”引才計劃支持。2016年博士畢業(yè)于加拿大麥吉爾大學(McGillUniversity)，之后于美國伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校(UIUC)從事博士后研究工作，長期致力于III-V族化合物半導體材料外延生長與器件結構研究。近年來發(fā)表學術論文四十余篇，其中以第一作者/通訊作者在Advanced Energy Materials、Nano Letters、Solar Energy Materials and Solar Cells、Applied Physics Letters等期刊上發(fā)表論文十余篇。課題組獨立搭建了一套4英寸III族氮化物分子束外延系統(tǒng)(MBE)，圍繞該系統(tǒng)建成萬級無塵MBE實驗室，專注于III族氮化物外延材料生長，另有100m²化學實驗室用于器件工藝、材料分析。課題組生長的ScAlN/GaN異質(zhì)結外延材料已展示出與國際先進水平相當?shù)亩S電子氣性能，并初步證實了ScAlN單晶薄膜的鐵電翻轉(zhuǎn)特性。

一、研究方向

1.ScAlN/GaN異質(zhì)結的外延生長與功率射頻HEMT器件研究；

2.高Sc組分ScAlN單晶薄膜生長與鐵電憶阻器、體聲波射頻濾波器研究；

3.“自底向上”選區(qū)外延InGaN納米柱周期陣列的外延生長與光子晶體Micro-LED研究。

二、招聘崗位及要求

崗位1：特別研究助理（博士后）2名

1.崗位職責

從事III族氮化物MBE生長動力學研究以及器件制備、性能分析

2.崗位要求

（1）已獲得或即將獲得電子信息、應用物理、微電子等相關學科博士學位，有III-V族化合物半導體材料與器件研制背景者優(yōu)先考慮；

（2）在相關知名國際刊物以第一作者發(fā)表過學術論文，有良好的英文讀寫能力和獨立科研能力；

（3）身心健康，熱愛科研，有良好的團隊協(xié)作能力和溝通能力，工作嚴謹認真負責，自學能力強；

（4）辦事認真踏實，有責任感，有團隊溝通能力。

3.薪酬待遇

固定薪酬：

博士后在站期間，固定薪酬28萬元起，特別優(yōu)秀者固定薪酬58萬元起，另加獎勵績效。

可爭取的其他個人補貼：

（1）入選江蘇省卓越博士后計劃，可獲得50萬元/30萬元/20萬元人才津貼。

（2）入選博新計劃，可獲得32萬元生活補貼。

（3）入選中國科學院特別研究助理資助項目或研究所“優(yōu)秀博士后計劃”，可獲得12萬元人才津貼。

（4）獲得中國博士后科學基金面上資助和特別資助（項目經(jīng)費8-18萬元），分別給予2萬元、5萬元補貼。

福利待遇：

在站期間可參加副高級崗位晉升，通過評審可聘為副高級崗位（入編）；可申請各類科研項目；可獲得公派出國深造的機會；同時享有人才優(yōu)購（公積金貸款2-3倍）、協(xié)助子女入學等待遇；

出站留蘇30萬元安家補貼。

崗位2：工程師/助理工程師2人

1.崗位職責：MBE外延工程師，MBE系統(tǒng)維護與實驗室管理

2.崗位要求：

（1）已獲得或即將獲得電子信息、應用物理、微電子等相關學科專科及以上學歷，年齡一般不超過30歲；

（2）較好的文案寫作能力和較強的計算機軟件學習能力，能閱讀英文文獻和實驗方案；

（3）吃苦耐勞、身體素質(zhì)好，熱愛科研，有良好的團隊協(xié)作能力和溝通能力，工作嚴謹認真負責，自學能力強；

（4）辦事認真踏實，有責任感，樂于助人、善于合理安排事務，具備一定的管理能力。

3.薪酬待遇

薪資福利待遇按蘇州納米所和國家規(guī)定執(zhí)行，提供月工資+績效+年終獎勵+五險一金，享受餐補、帶薪休假、職工體檢、工會福利等福利。

三、應聘方式

1．申請者請將以下資料通過郵箱發(fā)送到szfan2020@sinano.ac.cn，請【點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】，郵件標題格式：“目前所在單位+姓名+應聘崗位”；

2．個人簡歷（包含學習和工作經(jīng)歷、發(fā)表論文、參與項目等）；

3．代表性論文（不超過3篇）以及其他可以證明本人研究能力及水平的資料。

4．我們將以郵件或電話的方式通知初選通過的應聘者前來參加單位組織的面試。報名截止時間：招滿為止。

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