誠邀海內(nèi)外材料領(lǐng)域青年人才,踴躍加盟!
蘇州實驗室作為經(jīng)中央批準(zhǔn)成立的新型科研事業(yè)單位,設(shè)在蘇州工業(yè)園區(qū)。實驗室以“四個面向”為根本遵循,圍繞“戰(zhàn)略性產(chǎn)品、戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)、未來科技”發(fā)展中重大材料科學(xué)和關(guān)鍵技術(shù)問題,強(qiáng)化戰(zhàn)略性結(jié)構(gòu)材料、功能材料和前沿材料的突破,打造材料領(lǐng)域大科學(xué)裝置和AI計算設(shè)計平臺,開展戰(zhàn)略性、前瞻性、基礎(chǔ)性研究工作,努力建成世界一流實驗室。
信息材料研究部圍繞國家安全和未來高技術(shù)競爭、重大產(chǎn)業(yè)的競爭力和可持續(xù)發(fā)展、搶占未來制高點的超寬禁帶半導(dǎo)體和新型器件,布局先進(jìn)半導(dǎo)體材料、集成電路關(guān)鍵材料、集成光電材料三大領(lǐng)域,同時正在逐步建設(shè)材料生長、光刻、鍍膜、刻蝕、摻雜改性、封測、仿真等7大技術(shù)方向的工藝能力體系,建立材料原子層級可控的外延技術(shù),構(gòu)建原位精準(zhǔn)觀測技術(shù),實現(xiàn)器件原子級精準(zhǔn)構(gòu)筑,開展集材料生長、器件加工、系統(tǒng)集成、測試分析于一體的最前沿、最核心、最亟需的技術(shù)研發(fā)。
誠邀海內(nèi)外材料領(lǐng)域青年人才,踴躍加盟!
一、招聘基本條件
1.具有突出的創(chuàng)新能力和發(fā)展?jié)摿Γ痪哂羞h(yuǎn)大的學(xué)術(shù)志向、求是的創(chuàng)新精神、卓越的科研能力和社會責(zé)任感;
2.身體健康,心理素質(zhì)良好,具有較好的學(xué)習(xí)能力和抗壓能力;
3.具有崗位所需的專業(yè)知識和相關(guān)經(jīng)驗;
4.年齡不超過35周歲(1989年1月1日后生),領(lǐng)軍人才年齡不超過45周歲(1979年1月1日后生),特別優(yōu)秀的可適當(dāng)放寬。
二、支持條件
有競爭力的薪酬:領(lǐng)軍人才薪酬一事一議;應(yīng)屆博士畢業(yè)提供年薪40萬起,同時可享受地方各級人才津貼支持。
優(yōu)質(zhì)科研條件:配備一流的科研條件保障,提供充足穩(wěn)定的科研經(jīng)費支持。
良好成長生態(tài):優(yōu)先支持申報各級各類人才項目,并享受相應(yīng)的政策優(yōu)惠,納入實驗室科研評聘體系。
配套政策保障:提供過渡人才公寓保障,協(xié)助解決子女入學(xué)等生活需求;提供五險一金、節(jié)日福利、年度體檢與度假等福利待遇。
三、應(yīng)聘方式
請申請人將以下材料發(fā)送至郵箱:hr@szlab.ac.cn(郵件請命名為“方向+崗位名稱+姓名+高校人才網(wǎng)”)。【快捷投遞:點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”,即刻進(jìn)行職位報名】
1.應(yīng)聘登記表;
2.身份證,學(xué)歷學(xué)位證書;
3.學(xué)位論文摘要、已發(fā)表的著述、論文全文,以及其它可證明本人能力及水平的相關(guān)資料。
應(yīng)聘材料投遞全年受理。
聯(lián)系人:趙老師
聯(lián)系電話:0512-62980108
招聘崗位內(nèi)容
研究方向 | 崗位名稱 | 招聘人數(shù) | 崗位職責(zé) | 任職要求 |
先進(jìn)半導(dǎo)體材料方向 | 材料生長與裝備領(lǐng)軍人才 | 2 | 負(fù)責(zé)GaN、AlN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體材料,Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體,及其他材料的生長領(lǐng)域以及材料生長相關(guān)裝備領(lǐng)域的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃,開展高質(zhì)量科學(xué)研究,推動解決半導(dǎo)體材料生長與裝備的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.具有8年以上材料生長與裝備相關(guān)研究經(jīng)歷,在半導(dǎo)體材料生長與裝備領(lǐng)域取得過具有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果; 3.能夠準(zhǔn)確把握學(xué)科動態(tài)和發(fā)展方向,具有優(yōu)良的科技領(lǐng)軍創(chuàng)新才能和優(yōu)秀的團(tuán)隊管理能力。 |
材料生長與裝備青年科技人才 | 10 | 1.開展GaN、AlN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體材料,Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體及其他材料的高質(zhì)量生長領(lǐng)域以及材料生長相關(guān)裝備領(lǐng)域的相關(guān)科學(xué)研究; 2.協(xié)助學(xué)科帶頭人進(jìn)行半導(dǎo)體材料生長與裝備相關(guān)研究項目工作; 3.協(xié)助完成科研技術(shù)項目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺建設(shè)、運行推進(jìn)等內(nèi)容。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.有半導(dǎo)體材料生長研究的相關(guān)經(jīng)驗,取得過優(yōu)秀的科研成果,從事過半導(dǎo)體材料生長與裝備相關(guān)研究工作者優(yōu)先。 | |
先進(jìn)光電材料與應(yīng)用領(lǐng)軍人才 | 5 | 負(fù)責(zé)先進(jìn)光電材料與應(yīng)用領(lǐng)域的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃,開展高質(zhì)量科學(xué)研究,推動解決先進(jìn)光電材料與應(yīng)用的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.具有8年以上先進(jìn)光電材料與應(yīng)用相關(guān)研究經(jīng)歷,有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力,在先進(jìn)光電材料與應(yīng)用領(lǐng)域取得過具有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果; 3.能夠準(zhǔn)確把握學(xué)科動態(tài)和發(fā)展方向,引領(lǐng)相關(guān)學(xué)科發(fā)展;具有優(yōu)良的科技領(lǐng)軍創(chuàng)新才能和優(yōu)秀的團(tuán)隊管理能力。 | |
先進(jìn)光電材料與應(yīng)用青年科技人才 | 10 | 1.開展先進(jìn)光電材料與應(yīng)用領(lǐng)域的相關(guān)科學(xué)研究,推動解決先進(jìn)光電材料、技術(shù)與應(yīng)用的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題; 2.協(xié)助學(xué)科帶頭人進(jìn)行先進(jìn)光電材料開發(fā)與應(yīng)用等研究項目工作,完成科研技術(shù)項目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺建設(shè)、運行推進(jìn)等內(nèi)容。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.有光電材料相關(guān)研究經(jīng)驗,取得過優(yōu)秀的科研成果,從事過先進(jìn)光電材料與應(yīng)用相關(guān)研究工作者優(yōu)先。 | |
理論計算與仿真模擬領(lǐng)軍人才 | 2 | 負(fù)責(zé)三代半導(dǎo)體器件理論計算與仿真模擬領(lǐng)域的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃,從第一性原理深入開展高質(zhì)量科學(xué)研究,推動解決三代半導(dǎo)體材料理論計算與仿真模擬的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.具有8年以上理論計算與仿真模擬相關(guān)研究經(jīng)歷,有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力,在半導(dǎo)體材料理論計算與仿真模擬領(lǐng)域取得過具有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果。 3.能夠準(zhǔn)確把握學(xué)科動態(tài)和發(fā)展方向,引領(lǐng)相關(guān)學(xué)科發(fā)展;具有優(yōu)良的科技領(lǐng)軍創(chuàng)新才能和優(yōu)秀的團(tuán)隊管理能力。 | |
理論計算與仿真模擬青年科技人才 | 5 | 1.開展理論計算與仿真模擬領(lǐng)域的相關(guān)科學(xué)研究,推動解決理論計算與仿真模擬的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題; 2.協(xié)助學(xué)科帶頭人進(jìn)行理論計算與仿真模擬等研究項目工作,協(xié)助完成科研技術(shù)項目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺建設(shè)、運行推進(jìn)等內(nèi)容。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.具有3年以上理論計算與仿真模擬的相關(guān)經(jīng)驗,熟練使用計算編程工具如python、仿真工具Sentaurus、Silvaco之一,并能根據(jù)物理模型存在的問題進(jìn)行修改完善,在國外核心期刊上發(fā)表過本領(lǐng)域若干論文者優(yōu)先。 | |
工藝工程師 | 10 | 1.開展材料生長、光刻、鍍膜、刻蝕、摻雜改性、封測等工藝開發(fā)研究,工藝段的異常分析和處理,與器件工程師合作溝通改進(jìn)工藝; 2.負(fù)責(zé)相關(guān)設(shè)備的運行、操作、維護(hù)和使用管理; 3.配合完成相關(guān)項目工藝研發(fā)和驗證實驗。 | 1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷; 2.具有半導(dǎo)體或集成電路相關(guān)工藝研發(fā)工作經(jīng)驗者優(yōu)先; | |
集成電路關(guān)鍵材料方向 | 理化測試分析平臺領(lǐng)軍人才 | 1 | 1.圍繞理化測試分析平臺建設(shè)任務(wù),開展高質(zhì)量科學(xué)研究,包括方法學(xué)、設(shè)備及相關(guān)材料研究; 2.負(fù)責(zé)理化測試分析平臺管理運營工作,在科研能力建設(shè)、技術(shù)團(tuán)隊培養(yǎng)、創(chuàng)新實踐合作等方面發(fā)揮引領(lǐng)作用; | 1.具有博士學(xué)位,材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)、理化分析等相關(guān)專業(yè); 2.具有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力,在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)取得過具有影響力的標(biāo)志性成果; |
光刻材料領(lǐng)軍人才 | 1 | 1.圍繞最前沿光刻材料研究任務(wù),開展高質(zhì)量科學(xué)研究,包括工藝、設(shè)備及相關(guān)材料研究; 2.負(fù)責(zé)光刻材料研發(fā)工作,在科研能力建設(shè)、技術(shù)團(tuán)隊培養(yǎng)、創(chuàng)新實踐合作等方面發(fā)揮引領(lǐng)作用; | 1.具有博士學(xué)位,材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)、光刻材料等相關(guān)專業(yè); 2.具有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力,具有DUV光刻、和/或電子束光刻(e-beamlithography;EBL)等相關(guān)研究經(jīng)驗。 | |
光刻工程師 | 1 | 1.參與光刻工藝、設(shè)備及相關(guān)材料的研發(fā)工作; 2.負(fù)責(zé)監(jiān)控和調(diào)整光刻工藝參數(shù),編寫光刻工藝文件,包括操作規(guī)程、標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)程序等; 3.協(xié)助光刻方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項目的規(guī)劃布局、平臺建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作; 4.完成光刻方向負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。 | 1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷,材料、物理、化學(xué)、電氣工程等相關(guān)專業(yè); 2.具有2年以上光刻經(jīng)驗,在半導(dǎo)體行業(yè)或科研院所從事光刻工藝研發(fā)或光刻材料表征等相關(guān)工作。 | |
工藝整合工程師 | 1 | 1.負(fù)責(zé)公共測試服務(wù)平臺光刻評價/理化測試分析等相關(guān)工藝整合工作; 2.對接平臺業(yè)務(wù)需求,評估工藝可行性、工藝流程制定、異常分析、問題反饋及報告整理等相關(guān)工作; 3.協(xié)助光刻/測試工程師開展工藝調(diào)試及開發(fā); 4.完成平臺負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。 | 1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷,材料、半導(dǎo)體物理等相關(guān)專業(yè); 2.具有2年以上半導(dǎo)體工藝整合或工藝研發(fā)經(jīng)驗,熟悉集成電路工藝制造流程,具備技術(shù)調(diào)研和數(shù)據(jù)分析能力; 3.具有集成電路行業(yè)背景或12寸FAB制程經(jīng)驗者優(yōu)先。 | |
理化分析測試工程師(電感耦合等離子體質(zhì)譜方向) | 1 | 1.負(fù)責(zé)電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)及相關(guān)質(zhì)譜、光譜設(shè)備的日常測試、數(shù)據(jù)分析、技術(shù)開發(fā)、撰寫設(shè)備SOP; 2.負(fù)責(zé)電感耦合等離子體質(zhì)譜儀及相關(guān)質(zhì)譜、光譜設(shè)備的安裝、調(diào)試、培訓(xùn)、維護(hù)及運行; 3.協(xié)助專用理化平臺搭建及分析表征技術(shù)開發(fā),建立分析測試規(guī)范; 4.完成平臺負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。 | 1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷,分析化學(xué)、材料、儀器儀表等相關(guān)專業(yè); 2.具有電感耦合等離子體質(zhì)譜儀及相關(guān)質(zhì)譜、光譜設(shè)備使用操作、數(shù)據(jù)分析和日常維護(hù)經(jīng)驗。 | |
理化分析測試工程師(核磁共振波譜方向) | 1 | 1.負(fù)責(zé)核磁共振波譜儀(NMR)及相關(guān)譜學(xué)設(shè)備的日常測試、數(shù)據(jù)分析、技術(shù)開發(fā)、撰寫設(shè)備SOP; 2.負(fù)責(zé)核磁共振波譜儀及相關(guān)譜學(xué)設(shè)備的安裝、調(diào)試、培訓(xùn)、維護(hù)及運行; 3.協(xié)助專用理化平臺搭建及分析表征技術(shù)開發(fā),建立分析測試規(guī)范; 4.完成平臺負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。 | 1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷,分析化學(xué)、材料、儀器儀表等相關(guān)專業(yè); 2.具有核磁共振波譜儀及相關(guān)譜學(xué)設(shè)備使用操作、數(shù)據(jù)分析和日常維護(hù)經(jīng)驗。 | |
理化分析測試工程師(液相色譜方向) | 1 | 1.負(fù)責(zé)高效液相色譜儀(HPLC)及相關(guān)譜學(xué)設(shè)備的日常測試、數(shù)據(jù)分析、技術(shù)開發(fā)、撰寫設(shè)備SOP; 2.負(fù)責(zé)高效液相色譜儀及相關(guān)譜學(xué)設(shè)備的安裝、調(diào)試、培訓(xùn)、維護(hù)及運行; 3.協(xié)助專用理化平臺搭建及分析表征技術(shù)開發(fā),建立分析測試規(guī)范; 4.完成平臺負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。 | 1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷,分析化學(xué)、材料、儀器儀表等相關(guān)專業(yè); 2.具有高效液相色譜儀及相關(guān)譜學(xué)設(shè)備使用操作、數(shù)據(jù)分析和日常維護(hù)經(jīng)驗。 | |
刻蝕工藝工程師 | 1 | 1.負(fù)責(zé)刻蝕設(shè)備及相關(guān)設(shè)備的日常測試、數(shù)據(jù)分析、技術(shù)開發(fā)、撰寫設(shè)備SOP; 2.負(fù)責(zé)刻蝕設(shè)備及相關(guān)設(shè)備的安裝、調(diào)試、培訓(xùn)、維護(hù)及運行; 3.協(xié)助專用理化平臺搭建及分析表征技術(shù)開發(fā),建立分析測試規(guī)范; 4.完成平臺負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。 | 1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷,材料、半導(dǎo)體物理等相關(guān)專業(yè); 2.具有2年以上刻蝕經(jīng)驗,熟練掌握相關(guān)儀器和設(shè)備,具有集成電路行業(yè)背景或12寸FAB制程經(jīng)驗者優(yōu)先。 | |
ALD前驅(qū)體領(lǐng)軍人才 | 1 | 圍繞最前沿前驅(qū)體材料研究任務(wù),開展基于沉積技術(shù)的前驅(qū)體研究,包括工藝、設(shè)備及相關(guān)材料研究。 | 1.具有博士學(xué)位,材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè); 2.具有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力,在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)取得過具有影響力的標(biāo)志性成果。 | |
ALD前驅(qū)體材料工藝青年科技人才 | 1 | 1.圍繞最前沿前驅(qū)體材料研究任務(wù),開展基于沉積技術(shù)的前驅(qū)體材料工藝研究; 2.協(xié)助ALD前驅(qū)體方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項目的規(guī)劃布局、平臺建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作; 3.完成方向負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。 | 1.具有博士學(xué)位,材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè); 2.在相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有豐富的研究經(jīng)驗或突出特長,取得過重要成果。 | |
半導(dǎo)體3D封裝材料領(lǐng)軍人才 | 1 | 圍繞最先進(jìn)半導(dǎo)體3D封裝材料研究任務(wù),開展半導(dǎo)體3D封裝研究,包括工藝、設(shè)備及相關(guān)材料研究。 | 1.具有博士學(xué)位,材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè); 2.具有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力,在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)取得過具有影響力的標(biāo)志性成果。 | |
半導(dǎo)體3D封裝工藝青年科技人才 | 1 | 1.圍繞最先進(jìn)半導(dǎo)體3D封裝材料研究任務(wù),開展半導(dǎo)體3D封裝工藝研究; 2.協(xié)助半導(dǎo)體3D封裝材料方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項目的規(guī)劃布局、平臺建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作; 3.完成方向負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。 | 1.具有博士學(xué)位,材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè); 2.在相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有豐富的研究經(jīng)驗或突出特長,取得過重要成果。 | |
半導(dǎo)體3D封裝設(shè)備青年科技人才 | 1 | 1.圍繞最先進(jìn)半導(dǎo)體3D封裝材料研究任務(wù),開展半導(dǎo)體3D封裝設(shè)備研究; 2.協(xié)助半導(dǎo)體3D封裝材料方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項目的規(guī)劃布局、平臺建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作; 3.完成方向負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。 | 1.具有博士學(xué)位,材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè); 2.在相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有豐富的研究經(jīng)驗或突出特長,取得過重要成果。 | |
集成光電材料 | 異質(zhì)集成光電材料與器件領(lǐng)軍人才 | 1 | 負(fù)責(zé)柔性襯底與多種傳感材料異質(zhì)集成、傳感材料和器件與硅基光電集成電路異質(zhì)集成的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃,開展高質(zhì)量科學(xué)研究,推動解決異質(zhì)集成關(guān)鍵材料與器件的重大科學(xué)與工程問題。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.具有8年以上異質(zhì)集成芯片相關(guān)研究經(jīng)歷,有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力,在半導(dǎo)體材料異質(zhì)結(jié)、單片異質(zhì)集成器件、光電集成芯片等領(lǐng)域取得過有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果。 |
異質(zhì)集成光電材料與器件青年科技人才 | 1 | 1.開展柔性襯底與多種傳感材料異質(zhì)集成、傳感材料和器件與硅基光電集成電路異質(zhì)集成的相關(guān)科學(xué)研究,推動解決異質(zhì)集成關(guān)鍵材料與器件的科學(xué)與工程問題; 2.協(xié)助完成科研技術(shù)項目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺建設(shè)、運行推進(jìn)等內(nèi)容。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.從事過光電傳感材料研究者優(yōu)先、從事過半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)研究者優(yōu)先、從事過光電集成芯片研究工作者優(yōu)先。取得過優(yōu)秀的科研成果者優(yōu)先。 | |
硅基異質(zhì)外延材料與器件領(lǐng)軍人才 | 1 | 負(fù)責(zé)硅基襯底上外延GaAs、InP、GaN、AlN等Ⅲ/Ⅴ族半導(dǎo)體材料,以及硅基外延Ge、石墨烯等Ⅳ族半導(dǎo)體材料的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃,開展高質(zhì)量科學(xué)研究,推動解決硅基異質(zhì)外延材料與器件的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.具有8年以上硅基異質(zhì)外延材料與器件相關(guān)研究經(jīng)歷,有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力,在硅基異質(zhì)外延材料與器件領(lǐng)域取得過具有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果。 | |
硅基異質(zhì)外延材料與器件青年科技人才 | 1 | 1.開展硅基襯底上外延GaAs、InP、GaN、AlN等Ⅲ/Ⅴ族半導(dǎo)體材料,以及硅基外延Ge、石墨烯等Ⅳ族半導(dǎo)體材料的相關(guān)科學(xué)研究,推動解決硅基異質(zhì)外延材料與器件的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題; 2.協(xié)助完成科研技術(shù)項目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺建設(shè)、運行推進(jìn)等內(nèi)容。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.有硅基異質(zhì)外延材料與器件的相關(guān)經(jīng)驗,取得過優(yōu)秀的科研成果,從事過異質(zhì)外延相關(guān)研究工作者優(yōu)先。 | |
紅外量子點材料領(lǐng)軍人才 | 1 | 負(fù)責(zé)紅外量子點材料生長領(lǐng)域以及材料應(yīng)用相關(guān)領(lǐng)域的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃,開展高質(zhì)量科學(xué)研究,推動解決紅外量子點材料生長與應(yīng)用的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.具有8年以上紅外量子點材料相關(guān)研究經(jīng)歷,有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力,在紅外量子點材料領(lǐng)域取得過具有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果。 | |
紅外量子點材料青年科技人才 | 1 | 1.開展紅外量子點材料的高質(zhì)量生長以及材料應(yīng)用相關(guān)科學(xué)研究,推動解決紅外量子點材料生長與應(yīng)用的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題; 2.協(xié)助完成科研技術(shù)項目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺建設(shè)、運行推進(jìn)等內(nèi)容。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.有紅外量子點材料研究的相關(guān)經(jīng)驗,取得過優(yōu)秀的科研成果,從事過相關(guān)器件研究的工作者優(yōu)先。 | |
感存算一體材料與器件領(lǐng)軍人才 | 1 | 負(fù)責(zé)光學(xué)感存算一體材料與器件工作機(jī)理、制備工藝及相關(guān)器件領(lǐng)域的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃,開展高質(zhì)量科學(xué)研究,推動解決光學(xué)感存算一體材料生長與器件應(yīng)用的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.具有8年以上存儲材料或相變材料相關(guān)研究經(jīng)歷,有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力,在存算一體領(lǐng)域取得過具有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果。 | |
感存算一體材料青年科技人才 | 1 | 1.開展光學(xué)感存算一體材料工作機(jī)理、制備工藝及相關(guān)器件以及創(chuàng)新應(yīng)用相關(guān)科學(xué)研究,推動解決光學(xué)感存算一體材料生長與應(yīng)用的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題; 2.協(xié)助完成科研技術(shù)項目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺建設(shè)、運行推進(jìn)等內(nèi)容。 | 1.具有博士學(xué)位; 2.有感存算一體材料研究的相關(guān)經(jīng)驗,取得過優(yōu)秀的科研成果,從事過相關(guān)器件研究的工作者優(yōu)先。 | |
纖鋅礦寬禁帶鐵電材料生長和工藝技術(shù)高級工程師/副研究員 | 1 | 1.使用國際先進(jìn)原子層沉積、磁控濺射、分子束外延、激光脈沖沉積等材料生長機(jī)臺,完成纖鋅礦寬禁帶鐵電材料的生長技術(shù)研究工作,達(dá)到項目所需的交付指標(biāo); 2.使用國際先進(jìn)球差電鏡、電子隧穿顯微鏡、電子掃描顯微鏡、鐵電分析儀、XRD、SIMS、XPS、AFM等材料表征設(shè)備,完成纖鋅礦寬禁帶鐵電材料組分分析、晶格匹配、鐵電反轉(zhuǎn)等機(jī)理分析工作; 3.完成一整套的纖鋅礦寬禁帶鐵電薄膜的生長參數(shù)優(yōu)化、工藝包建立、一致性檢測的工作; 4.協(xié)助方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項目的規(guī)劃布局、平臺建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作。 | 1.具有博士學(xué)位,材料科學(xué)、半導(dǎo)體技術(shù)、微電子科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè); 2.在寬禁帶鐵電材料生長相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有豐富的研究經(jīng)驗或突出特長,取得過重要成果; 3.具有海外學(xué)習(xí)工作經(jīng)歷者、工業(yè)界工作經(jīng)驗者、國際先進(jìn)研究單位(比利時IMEC、新加坡IME、法國CEALeti、美國3D鐵電中心、德國弗朗霍斯特研究中心等)經(jīng)驗者優(yōu)先。 | |
纖鋅礦寬禁帶鐵電材料器件和陣列制備高級工程師/副研究員 | 1 | 1.完成基于纖鋅礦寬禁帶鐵電材料的FeFET和FeCAP的器件設(shè)計、工藝設(shè)計、器件制備、電學(xué)測試和可靠性測試的工作,達(dá)到項目所需的交付指標(biāo); 2.完成基于纖鋅礦FeFET和FeCAP的陣列設(shè)計、工藝技術(shù)、陣列制備、電學(xué)測試、存儲功能測試和可靠性測試的工作; 3.完成一整套的纖鋅礦FeFET和FeCAP陣列的工藝設(shè)計、工藝集成、電學(xué)測試方法和器件陣列一致性檢測的工作; 4.協(xié)助方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項目的規(guī)劃布局、平臺建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作。 | 1.具有博士學(xué)位,材料科學(xué)、半導(dǎo)體技術(shù)、微電子科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè); 2.在寬禁帶鐵電材料FeFET和FeCAP相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有豐富的研究經(jīng)驗或突出特長,取得過重要成果; 3.具有海外學(xué)習(xí)工作經(jīng)歷者、工業(yè)界工作經(jīng)驗者、國際先進(jìn)研究單位(比利時IMEC、新加坡IME、法國CEALeti、美國3D鐵電中心、德國弗朗霍斯特研究中心等)經(jīng)驗者優(yōu)先。 | |
纖鋅礦寬禁帶鐵電材料器件TCAD仿真驗證工程師/助理研究員 | 1 | 1.結(jié)合半導(dǎo)體器件制備經(jīng)驗,使用國際主流半導(dǎo)體器件計算機(jī)輔助設(shè)計軟件,完成纖鋅礦寬禁帶鐵電材料的FeFET和FeCAP的器件建模、TCAD仿真驗證工作,達(dá)到項目所需的交付指標(biāo); 2.完成纖鋅礦FeFET和FeCAP中摻雜濃度、薄膜組分、薄膜厚度、矯頑電場等DOE設(shè)計、TCAD仿真驗證、數(shù)據(jù)分析、指導(dǎo)實驗計劃的工作; 3.完成一整套的纖鋅礦FeFET和FeCAP陣列的結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝集成、電學(xué)測試方法和器件陣列一致性檢測的模擬仿真工作; 4.協(xié)助方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項目的規(guī)劃布局、平臺建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作。 | 1.具有博士學(xué)位,材料科學(xué)、半導(dǎo)體技術(shù)、微電子科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè); 2.具有3-5年半導(dǎo)體新型器件微納制備經(jīng)驗;在寬禁帶鐵電材料FeFET和FeCAP相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有相關(guān)研究經(jīng)驗或突出特長,取得過重要成果; 3.具有海外學(xué)習(xí)工作經(jīng)歷者、工業(yè)界工作經(jīng)驗者、國際先進(jìn)研究單位(比利時IMEC、新加坡IME、法國CEALeti、美國3D鐵電中心、德國弗朗霍斯特研究中心等)經(jīng)驗者優(yōu)先。 | |
寬禁帶、超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長和設(shè)備開發(fā)高級工程師/副研究員 | 1 | 1.使用國際先進(jìn)原子層沉積、分子束外延、激光脈沖沉積等材料生長機(jī)臺,完成寬禁帶、超寬禁帶材料的生長技術(shù)研究工作,達(dá)到項目所需的交付指標(biāo); 2.進(jìn)行寬禁帶、超寬禁帶材料半導(dǎo)體核心設(shè)備的改造開發(fā)和國產(chǎn)驗; 3.完成一整套的寬禁帶、超寬禁帶材料的生長參數(shù)優(yōu)化、工藝包建立、一致性檢測的工作; 4.協(xié)助方向負(fù)責(zé)人進(jìn)行材料生長與裝備相關(guān)研究項目工作,協(xié)助完成科研技術(shù)項目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺建設(shè)、運行推進(jìn)等內(nèi)容。 | 1.具有博士學(xué)位,材料科學(xué)、半導(dǎo)體技術(shù)、微電子科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè); 2.在寬禁帶、超寬禁帶材料生長相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有豐富的研究經(jīng)驗或突出特長,取得過重要成果; 3.具有海外學(xué)習(xí)工作經(jīng)歷者、工業(yè)界工作經(jīng)驗者、國際先進(jìn)研究單位(比利時IMEC、新加坡IME、法國CEALeti、美國3D鐵電中心、德國弗朗霍斯特研究中心等)經(jīng)驗者優(yōu)先。 |
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