擁有一批自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),具備較強(qiáng)創(chuàng)新攻關(guān)能力和規(guī)模化制造技術(shù),正全力推進(jìn)新型半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。現(xiàn)因工作需要,擬招聘以下研究方向博士后(5~8人)。
納米加工平臺(tái)是國內(nèi)具有重要影響力的集半導(dǎo)體材料制備、微納加工、檢測(cè)及封裝于一體,具有先進(jìn)裝備與特色服務(wù)的公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái),擁有超凈實(shí)驗(yàn)室一萬余平米,大型設(shè)備三百余臺(tái)套,具備開展半導(dǎo)體薄膜外延、微納電子器件、微機(jī)電系統(tǒng)、光電子器件、功率器件、生物芯片的科學(xué)研究和產(chǎn)品開發(fā)能力。納米加工平臺(tái)在三族氧化物、氮化物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)、功率電子與光電子器件研制及工藝開發(fā)等方面實(shí)力雄厚,掌握相關(guān)方向核心技術(shù),擁有一批自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),具備較強(qiáng)創(chuàng)新攻關(guān)能力和規(guī)模化制造技術(shù),正全力推進(jìn)新型半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。現(xiàn)因工作需要,擬招聘以下研究方向博士后(5~8人)。
一、招聘崗位
博士后5~8名
二、研究方向:
1.氮化鎵Micro-LED光電器件
2.氧化鎵功率電子與光電子器件
3.超寬禁帶半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)
4.半導(dǎo)體材料與芯片異質(zhì)異構(gòu)集成
5.神經(jīng)形態(tài)芯片設(shè)計(jì)與開發(fā)
三、崗位要求
1.微電子、(光)電子信息、半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體材料、應(yīng)用物理等相關(guān)專業(yè)背景;
2.年齡在35周歲以下,身心健康,近3年在國內(nèi)外知名高校/院所獲博士學(xué)位;
3.掌握扎實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)知識(shí),具備優(yōu)秀的科研素質(zhì)、創(chuàng)新精神和團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神;
4.有良好的英文讀寫能力、以第一作者在國際主流期刊發(fā)表相關(guān)領(lǐng)域?qū)W術(shù)論文;
5.工作嚴(yán)謹(jǐn)負(fù)責(zé)、辦事認(rèn)真踏實(shí)、自驅(qū)力強(qiáng),有上述研究方向相關(guān)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。
四、薪酬福利
1.薪資:基礎(chǔ)年薪28萬元起,另加獎(jiǎng)勵(lì)績(jī)效;入選國家、中國科學(xué)院、江蘇省各類博士后計(jì)劃的優(yōu)秀博士后疊加15-35萬元/年激勵(lì)績(jī)效;出站留蘇享受30萬元安家補(bǔ)貼。
2.待遇:可申請(qǐng)各類科研項(xiàng)目,同時(shí)享有人才優(yōu)購、子女入學(xué)協(xié)助等待遇;在站期間可參加崗位晉升、蘇州市高級(jí)職稱評(píng)定,晉升為副高后可入事業(yè)編制。
3.福利:享受五險(xiǎn)一金(含公積金)、餐食補(bǔ)貼、帶薪休假、職工體檢、工會(huì)福利等。
4.符合條件者優(yōu)先推薦申請(qǐng)國家“博新”計(jì)劃、江蘇“卓越博士后”計(jì)劃、中國科學(xué)院青促會(huì)會(huì)員、中國科學(xué)院特別研究助理項(xiàng)目、研究所優(yōu)秀博士后項(xiàng)目、優(yōu)秀青年人才項(xiàng)目等。
納米加工平臺(tái)設(shè)備先進(jìn)、經(jīng)費(fèi)充足、氛圍融洽,不僅支持申請(qǐng)各類項(xiàng)目、為團(tuán)隊(duì)成員提供良好的發(fā)展與深造機(jī)會(huì),還將積極培養(yǎng)學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的職業(yè)素養(yǎng)與能力,歡迎相關(guān)專業(yè)有志青年加盟!5.
五、應(yīng)聘方式:
有意向者請(qǐng)將個(gè)人簡(jiǎn)歷、自己以往研究?jī)?nèi)容、近5年研究成果等資料發(fā)送至柏燕老師郵箱:請(qǐng)【點(diǎn)擊下方“立即投遞/投遞簡(jiǎn)歷”,即刻進(jìn)行職位報(bào)名】,郵件主題請(qǐng)標(biāo)注:“納米加工平臺(tái)博士后招聘-姓名”,上述崗位招滿為止。
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