ScAlN化合物材料生長與微結構調控課題組負責人樊士釗，獲中國科學院“率先行動”引才計劃支持。2016年博士畢業于麥吉爾大學(McGill   University)，之后于美國伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校(UIUC)從事博士后研究工作，長期致力于III-V族化合物半導體材料外延生長與器件結構研究。近年來以第一作者/通訊作者在Advanced  Energy Materials、Nano Letters、Solar Energy Materials and Solar  Cells、Journal of Applied  Physics等期刊上發表論文十余篇。2020年全職加入中國科學院蘇州納米所，已建立獨立科研團隊。

課題組從事III族氮化物分子束外延生長與光電/功率射頻/聲電/鐵電器件研究，目前主要從事三個研究方向：

1.高Sc組分ScAlN單晶薄膜材料的外延生長與壓電/聲電/鐵電器件研究；

2.N-極性面AlGaN/GaN、ScAlN/GaN異質結的外延生長與功率射頻HEMT器件研究；

3.“自底向上”選區外延InGaN納米柱周期陣列的外延生長與光子晶體Micro-LED研究。

課題組獨立搭建了一套4英寸III族氮化物分子束外延系統(MBE)，圍繞該MBE系統建設了萬級無塵MBE實驗室并已投入運行，另有100m2化學實驗室用于器件工藝、材料分析。課題組氛圍融洽，設施齊全，經費充足，適合有志于從事化合物半導體外延生長研究的博士后或科研助理開展研究工作，也適合對晶圓級分子束外延(MBE)系統感興趣、職業規劃與MBE領域相關的人員接受系統性的MBE技術培訓、向高級MBE工程師進階。擬招聘博士后研究人員2-3名、研究實習員/科研助理2名：

崗位職責：博士后——從事III族氮化物MBE生長動力學研究以及器件制備、性能分析；研究實習員/科研助理——MBE系統維護與實驗室管理、科研輔助。

博士后崗位要求：

1.已獲得或即將獲得電子信息、應用物理、微電子等相關學科博士學位（博士后）/學士學位（科研助理），有III-V族化合物半導體材料與器件研制背景者優先考慮；

2.在相關知名國際刊物以第一作者發表過學術論文，有良好的英文讀寫能力和獨立科研能力；

3.身心健康，熱愛科研，有良好的團隊協作能力和溝通能力，工作嚴謹認真負責，自學能力強；

4.辦事認真踏實，有責任感，有團隊溝通能力

科研助理崗位要求：

1.已獲得或即將獲得電子信息、應用物理、微電子等相關學科學士、碩士學位或具有相關領域知識背景，年齡一般不超過25歲；

2.較好的文案寫作能力和較強的計算機軟件學習能力，能閱讀英文文獻和實驗方案；

3.吃苦耐勞、身體素質好，熱愛科研，有良好的團隊協作能力和溝通能力，工作嚴謹認真負責，自學能力強；

4.辦事認真踏實，有責任感，樂于助人、善于條理安排事務，具備一定的管理能力。

博士后薪酬待遇：

1.工資福利待遇按中科院蘇州納米所和國家規定執行，提供月工資+獎勵績效。具有博士學歷的聘用人員可列入中國科學院特別研究助理（博士后），年薪為28萬元/年，外加課題績效和年終獎金，具體面議。特別優秀者可獲得30萬人才津貼（江蘇省卓越博士），獲批中國科學院特別研究助理項目、所“優秀博士后”可獲得12萬人才津貼。業績突出者，博士后出站后可以優先留所工作。園區工作站博士后，出站后在蘇州買房可獲30萬元安家補貼；

2.課題組將提供良好的科研環境，支持申請各類項目，積極為團隊成員提供國內外學術會議交流機會、海外深造機會，以及將來在學術界和工業界的職業發展機會。

科研助理薪酬待遇：

1.薪資福利待遇按中國科學院蘇州納米所和國家規定執行，提供月工資+績效+年終獎勵+五險一金，享受餐補、帶薪休假、職工體檢、工會福利等福利。根據能力和所承擔的工作，本科及以上學歷者，可申請蘇州工業園區優租房；

2.碩士學位工程師到手月工資最高8200元，學士學位工程師到手月工資最高5500元；根據工作表現，工程師年底績效獎金最高可達15000元；

3.工作穩定，后續提供課題組內部在職深造機會，課題組鼓勵年輕職工留所工作、繼續晉升副高級工程師；

4.課題組將提供良好的科研工作環境，支持科研助理參與科研活動，積極為團隊成員提供國內外學術會議交流機會、海外深造機會，以及將來在學術界和工業界的職業發展機會。

應聘方式：

申請者請將以下資料通過郵箱發送，請【點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】，郵件標題格式：“目前所在單位+姓名+應聘崗位”：

1.個人簡歷（包含學習和工作經歷、發表論文、參與項目等）；

2.代表性論文（不超過3篇）以及其他可以證明本人研究能力及水平的資料。

我們將以郵件或電話的方式通知初選通過的應聘者前來參加單位組織的面試。報名截止時間：招滿為止。

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