GaN電子器件的機理研究、器件設計、新工藝開發及器件制備,測試表征分析;
一、招聘崗位及人數:博士后2名
1、研究方向:
GaN電子器件的機理研究、器件設計、新工藝開發及器件制備,測試表征分析;
2、崗位要求:
1)半導體物理、器件相關專業博士;
2)有扎實的專業基礎與豐富的實驗經驗,有獨立科研能力;
3)工作認真,責任心強,動手能力強并具有團隊合作精神。
3、崗位待遇:
工資福利待遇按中科院蘇州納米所和國家規定執行,提供月工資+績效+年終獎勵。目前研究所在站博士后(特別研究助理)月收入約2.1萬元,外加課題績效和年終獎金,業績突出者,可申請江蘇省卓越博士后(30萬/2年),蘇州納米所優秀博士后(12萬/2年)等人才補貼。博士后出站在蘇州買房可獲30萬元安家補貼。業績突出者,博士后出站后可以優先留所工作。
二、招聘崗位及人數:研究實習員1名
1、崗位職責:
1)半導體器件工藝、流片;
2)整理工藝記錄,撰寫工藝報告。
2、崗位要求:
1)半導體、電子技術、物理、材料相關專業本科及以上;
2)工作認真,責任心強,能夠長期從事半導體器件工藝。
3、崗位待遇:
中科院蘇州納米所為國家級事業單位,我所聘用人員工資及福利待遇按國家和研究所有關規定執行,提供月工資+績效+年終獎勵+五險一金。根據能力和所承擔的工作,具有豐富的工作經驗者可以面談。本科及以上學歷,蘇州工業園區提供優租房。
三、應聘方式:
1)應聘者請將個人簡歷等(包括發表論文情況和已經從事過的研究工作總結)發送至蔡勇老師(ycai2008@sinano.ac.cn);(郵件標題注明:應聘某某崗位+本人姓名+高校人才網)
2)初選合格者將電話或e-mail通知本人參加面試;
3)參加面試初審者需提供:學歷、學位證書及復印件;專家推薦信和其他可以證明本人能力及水平的相關資料等。
4)報名截止時間:招滿為止。
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