1

超導量子器件（器件工藝開發）

（G201&202)

3

半導體、微電子

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、有較強的微納加工基礎，熟練掌握版圖設計、紫外光刻、電子束曝光、薄膜生長、刻蝕、封裝等工藝，有硅基和III-V半導體器件、超導電子器件的加工經驗者優先；

3、溝通能力強，具有合作精神，能夠獨立承擔器件研究和工藝開發工作；

4、有良好的英文閱讀和寫作能力。

2

超導量子器件（量子器件設計及測控）

（G201&202)

7

物理、微電子、微波工程、電子信息技術

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、有固態量子器件設計、測控和分析經驗者優先；

3、深入理解量子電動力學或量子光學，了解開放量子系統理論，熟悉低溫測試系統。

3

超導量子器件（材料微波損耗測試）

（G201&202)

3

物理、電子信息技術、材料、微波

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、具備三年以上微波工程、微波器件設計、器件電磁場模擬及測試相關工作經歷；

3、深入理解材料微波損耗機理；

4、有微波器件設計及微波損耗測試經驗者優先

4

超導量子器件（固態量子芯片退相干微觀機理研究）

（G201&202)

2

物理、電子信息技術、材料、微波

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、具備三年以上材料微觀物性研究、及測試相關工作經歷，有較強的量子器件及量子材料功底，精通前沿的高精密量子器件表征，如STM/AFM表征、電子自旋共振表征、鉆石NV色心探針表征、ScanningSQUID表征等；

3、深入理解材料微波損耗機理；

4、有微波器件設計及微波損耗測試經驗者優先

5

高精度動態三維智能視覺芯片與系統核心技術開發

（G203）

6

計算機、通信、自動化等相關專業

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、有較好數學基礎，較強的圖像處理算法設計能力；

3、在計算成像、圖像處理等領域具有相關研究成果或開發經驗；

4、較強的論文檢索，英文專業文獻閱讀能力；

5、了解雙目、結構光、ToF等一種或者多種技術者優先。

6

MOCVD/MBE外延與器件驗證

（G2101）

3

半導體材料生長、半導體光電子器件、微電子學與固體電子學、材料學、物理學、真空技術等相關專業；

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、了解并熟悉掌握MOCVD/MBE設備研發制造及生長技術；

3、根據外延材料測試與下游器件的結果反饋，進行外延工藝的優化與改進；

4、對MBE外延產品分析檢測，數據分析，形成報告和技術文檔；

5、熟悉外延產品知識和相關應用，熟練操作所負責的儀器和軟件，能獨立設計實驗和分析實驗結果；

6、熟悉了解外延片各類表征手段，如XRD，PL，ECV，AFM等，同時根據要求的材料結構研發和編寫外延生長工藝

7

基于超表面的光譜調制結構設計

（G2102）

1

材料、電子、微電、精儀等

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、微電子、電子工程、半導體物理、材料等相關專業碩士及以上學歷，研究生階段從事過光子晶體、超材料方面的研究。

3、有較好的數理基礎，能深刻理解微納結構與電磁波的相互作用，熟練使用FDTD、Rsoft、RCWA等進行電磁波仿真。

4、根據公司業務需求，完成微納結構的仿真設計，配合測試結果優化結構設計。

5、熟練使用TannerTool或klayout等版圖設計軟件者優先，有一定的代碼能力者優先

8

快速高精度光譜重建算法研究

(G2102)

1

材料、電子、微電、精儀等

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、數學、計算機等相關專業，具備扎實的數學基礎和數據處理經驗；

3、熟悉并可以應用多種機器學習模型。包括但不限于線性模型、樹模型、概率圖模型、聚類模型、深度學

習模型、多任務學習、遷移學習、強化學習、整數規劃算法、VRP算法（其中若干種即可）；

4、熟練掌握python和C++;

5、有算法部署經驗者優先;

6、責任心強，善于學習新事物，有較強的分析問題和解決問題的能力。

9

融合人工智能的材料結構搜索策略和方法

（G2103）

1

計算材料學&人工智能

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、熟悉C++,Python等；熟悉主流的開源深度學習框架如PyTorch,TensorFlow等；如有遺傳算法、粒子群算法經驗更佳。

10

高精度超高帶寬量子比特讀取技術

（G2113)

1

物理電子學/電子學相關專業

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、具備高速模擬電路設計、FPGA程序設計經驗

11

退役動力電池材料回收與再生

（G2116）

4

選礦，濕法冶金，材料（新能源材料），化工，LCA，有機合成，生物合成專業

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、具備深厚的電化學/鋰電材料合成/測控、智能識別/選礦/濕法冶金的理論知識；

3、能夠獨立開展研究平臺搭建和開展課題研究；

12

晶圓級微透鏡陣列光學芯片

（G2118)

1

自動化

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、具有3年以上微納加工（光刻、刻蝕、SEM檢測）經驗者優先;3、精通衍射光學，微納光子學理論基礎和設計技巧，具有實際設計的成功經驗;

4、熟悉相關的微納加工技術，了解相關的核心設備型號和操作規程，并了解制作過程所需材料;

5、精通光刻、納米壓印、電鍍、印刷、精通薄膜等技術，并能熟練使用日常分析及檢測儀器。

13

晶圓級微透鏡陣列光學芯片

（G2118)

1

微電子與固體電子學

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、至少熟練掌握Matlab編程語言，簡歷必須包含以Matlab語言撰寫的代碼內容，熟練掌握C/C++或Python等編程語言者更佳；

3、有扎實的傅里葉變換、概率論、線性代數功底（相關課程成績優秀）；

4、熟悉數字信號處理、統計信號處理、陣列信號處理、雷達者優先考慮。

14

連續噴墨打印技術研究

（G2120)

6

電子工程、自動化、機械工程，材料，電子，微電，物理

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、具有MEMS器件、PZT壓電薄膜制備、傳感器件（Sensor）、制動器件（Actuator）或其他半導體器件研究基礎和經驗；

3、熟悉常見的MEMS芯片制備工藝：光刻、深硅刻蝕、鍵合等；

4、較強的論文檢索，英文專業文獻閱讀和撰寫能力。

15

OLED/QLED顯示材料的設計合成與開發

（G2120)

6

有機/物理化學/高分子化學；微電；材料；光學

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、有扎實的有機分子材料設計與合成的基礎和經驗；

3、具有3年以上的OLED/QLED或其它有機光電器件的研究經歷；

4、較強的論文檢索，英文專業文獻閱讀和撰寫能力。

16

半導體工業級在線式X射線光電子能譜的關鍵技術研究

（微聚焦電子束（10微米級別、動態掃描）、光電子調制檢測）

（G2121)

2

真空電子學

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、有較好物理基礎；

3、在磁偏轉電子束、電子透鏡等領域具有相關研究成果或開發經驗；

4、較強的論文檢索，英文專業文獻閱讀能力；

5、有XPS使用維護經驗者優先。

17

半導體工業級在線式X射線光電子能譜的關鍵技術研究

（X射線單色化調制）

（G2121)

1

光學

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、有較好光學基礎；

3、在光束聚焦等領域具有相關研究成果或開發經驗；

4、較強的論文檢索，英文專業文獻閱讀能力；

18

半導體工業級在線式X射線光電子能譜的關鍵技術研究

（自動化控制）

（G2121)

1

自動化

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、有較好自動化基礎；

3、在儀器自動化領域具有相關研究成果或開發經驗；

4、較強的論文檢索，英文專業文獻閱讀能力；

19

半導體工業級在線式X射線光電子能譜的關鍵技術研究

（數據分析反饋）

（G2121)

1

計算機，人工智能

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、有較好計算機基礎，較強的算法設計能力；

3、在大數據、人工智能等領域具有相關研究成果或開發經驗；

4、較強的論文檢索，英文專業文獻閱讀能力；

20

AlGaN深紫外LED外延生長、AlGaN深紫外LED器件工藝

（G2122）

4

半導體材料與器件、光電子

1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業3年以內；

2、具有化合物半導體材料外延生長、光電子或功率電子器件的研究背景；

3、了解相關領域國內外最新研究進展，具有扎實的專業基礎知識和實驗技能、及較強的英語讀寫能力，在前期學習/工作過程中做出同行認可的成績；

4、具有較強的團隊合作精神、責任心和獨立開展工作的能力，動手能力強，認真細心，踏實肯干，善于溝通，有意長期從事氮化物半導體材料與光電子器件的研發及產業化工作；

5、具有AlGaN基深紫外LED材料MOCVD外延生長或芯片工藝研發經驗者優先考慮。